SI 500 C低温ICP-RIE系统
SI 500 C低温ICP-RIE系统
使用SI 500 C的低温蚀刻是感应耦合等离子体（ICP）处理的前沿
主要特点与优势：
低损伤低温蚀刻
利用低温工艺进行深硅蚀刻
SENTECH专有等离子体源技术
动态温度控制
SENTECH SI 500 C 低温ICP-RIE等离子体蚀刻系统代表了感应耦合等离子体（ICP）处理的前沿，其温度范围从-150°C到150°C。 该工具包括ICP等离子体源PTSA、动态温控基板电极、全控制真空系统以及非常易操作的用户界面。灵活性和模块化是SENTECH SI 500 C低温ICP-RIE等离子体蚀刻系统的设计特点。该系统可配置处理多种精密结构，包括但不限于硅、硅、硅2，是3N4、砷化镓（GaAs）和InP。