SI 500ICP-RIE系统
SI 500ICP-RIE系统
SENTECH SI 500 ICP-RIE高端等离子体刻蚀系统采用感应耦合等离子体（ICP）源，具有低离子能量，实现低损伤的蚀刻和纳米结构。
主要特点与优势：
低损伤ICP-RIE蚀刻
简单高速蚀刻
SENTECH专有等离子源技术
动态温度控制
SENTECH SI 500 ICP-RIE系统代表了ICP处理在科研和工业领域的前沿。该系统包括ICP等离子体源PTSA、动态温控基板电极、全控制真空系统以及非常易操作的用户界面。通过这种灵活模块化的等离子体蚀刻系统，可以实现多种材料的加工配置，包括但不限于III-V和II-VI化合物半导体（GaAs、InP、GaN、InSb）、介质、石英、玻璃、硅、硅化合物（SiC、SiGe）和金属。