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等离子体CVD- 等离子体增强型CVD设备 PD-220NL

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等离子体增强型CVD设备 PD-220NL紧凑的研发用负载锁定系统概要PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和

等离子体CVD -等离子体增强型CVD设备 PD-2201LC

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等离子体增强型CVD设备 PD-2201LC节省空间的生产系统概要PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶

原子层沉积(ALD)系统-PlasmaPro ASP

原子层沉积(ALD)系统-PlasmaPro ASP

PlasmaPro ASP基于经过生产验证的企业/专业研发平台,旨在形成可集成到器件中的优质薄膜。它足够灵活,可以进行多种化学反应,并可实现高速、高质量的薄膜沉积。其中,我们最先进的

原子层沉积(ALD)系统-FlexAL

原子层沉积(ALD)系统-FlexAL

FlexAL系统可提供远程等离子体原子层沉积(ALD),这为纳米结构和器件的工程设计提供了一系列新的灵活性和可行性。主要特点:1. 在同一设备中可灵活使用远程等离子体与热ALD2. 集群

等离子体增强化学气相沉积系统-PlasmaPro 1000

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大面积刻蚀与沉积的量产型解决方案主要特点:1. 更大的批量生产能力2. 高产量3. 更稳定的器件质量4. 低购置成本5. 提供单晶圆传送腔室或者多至三个腔室的集群式配置6. 标准的

反应性离子刻蚀系统-PlasmaPro 800 RIE

反应性离子刻蚀系统-PlasmaPro 800 RIE

PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统,该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻(RIE)工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产级别的

反应性离子刻蚀系统-PlasmaPro 80 RIE

反应性离子刻蚀系统-PlasmaPro 80 RIE

PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置,便于使用,且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸,是研

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