Samco 莎姆克_上海伽桀测控技术有限公司

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPC优异的工艺可重复性与稳定性概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统

液体原料CVD设备 PD-100ST沉积物达ø100 mm（4"）概要PD-100ST是一种用于研发的低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)等离子体增强CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统

液体原料CVD设备 PD-330STC沉积物高达 ø300 mm (12")概要PD-330STC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco独

液体原料CVD设备 PD-270STLC低应力薄膜的高速（>300nm/min）沉积概要PD-270STLC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统，可用于大规模生产。Samco

液体原料CVD设备 PD-200STL负载锁定系统，最大可达Ø200毫米（8"）概要PD-200STL是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型CVD系统。Samco独特的液

等离子体增强型CVD设备 PD-220N研究开发用等离子体CVD设备概要PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，

等离子体增强型CVD设备 PD-3800L批量加工设备概要PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。
该系统由于

等离子体增强型CVD设备 PD-220NL紧凑的研发用负载锁定系统概要PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和

等离子体增强型CVD设备 PD-2201LC节省空间的生产系统概要PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶

等离子体强化的ALD设备 AD-800LP卓越的重复性和稳定性概要AD-800LP 是一款先进的负载锁定式原子层沉积 (ALD) 系统，专为实现对薄膜厚度的原子级精确控制而设计。该系统集成了