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原子层沉积(ALD) -等离子体强化的ALD设备 AD-800LP

原子层沉积(ALD) -等离子体强化的ALD设备 AD-800LP

等离子体强化的ALD设备 AD-800LP

卓越的重复性和稳定性

概要

AD-800LP 是一款先进的负载锁定式原子层沉积 (ALD) 系统,专为实现对薄膜厚度的原子级精确控制而设计。该系统集成了热 ALD 和等离子体增强 ALD 两种沉积模式,从而能够沉积多种关键材料,包括氧化物、氮化物和导电薄膜,满足不同应用的需求。 该系统通过将有机金属前体和氧化剂交替引入反应腔室,确保沉积过程完全通过表面反应进行。这种精密的沉积机制不仅赋予了 AD-800LP 对薄膜厚度的出色控制能力,更保证了卓越的晶圆平面内均匀性和优异的阶梯覆盖性能。此外,系统采用的脉冲前体输送技术,其脉冲持续时间短至数百毫秒甚至更短,这显著地减少了前体材料的损耗,并大幅提升了沉积效率。 AD-800LP 采用载盘传输系统,使其在晶圆处理方面具有高度灵活性,能够高效地处理单个 ø8 英寸晶圆,或同时处理三个 ø4 英寸晶圆,

主要特点和优点:

低损伤等离子体增强原子层沉积(ALD)与热原子层沉积(ALD)结合在同一沉积腔室中。

原子层级的均匀薄膜控制。

高深宽比结构的共形沉积。

卓越的平面内均匀性和重复性。

腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。

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