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深硅蚀刻设备 RIE-400iPB研发设备，最大可达4"概要RIE-400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备，用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是为研究和开发目的

深硅蚀刻设备 RIE-800iPB 行业领先性能概述Samco的RIE-800iPB是一种高性能感应耦合等离子体（ICP）蚀刻系统，利用高密度等离子体进行MEMS和TSV应用所需的深硅蚀刻。
RIE-800iPB

深硅蚀刻设备 RIE-800BCT行业领先的性能概要RIE-800BCT是使用电感耦合等离子体作为放电形式的生产型硅DRIE系统。这种高性能系统能够进行高纵横比处理（超过100）和低扇形处理，同

深硅蚀刻设备 RIE-802BCT双室生产系统概要RIE-802BCT是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iP多功能负载锁设备概要RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iPC量产设备概要RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iP适用于 IIIV 族半导体（氮化镓、砷化镓、磷化铟）概要RIE-400iP是用于ø4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP卓越的重复性和稳定性概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-350iPC最大ø350毫米的托架概要RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø350毫米的载盘，用于多晶圆批

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC节省空间的生产设备概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳