深硅蚀刻设备 RIE-800iPB
深硅蚀刻设备 RIE-800iPB
行业领先性能
概述
Samco的RIE-800iPB是一种高性能感应耦合等离子体（ICP）蚀刻系统，利用高密度等离子体进行MEMS和TSV应用所需的深硅蚀刻。
RIE-800iPB 是一款专为博世工艺设计的专用硅刻蚀系统（由罗伯特·博世有限公司授权）。 该系统独特的反应室、电极、平台和真空设计克服了竞争系统中遇到的问题，实现了高速（约50微米/分钟）、无倾斜、高调度蚀刻以及业内领先的选择性（超过100：1）。
主要特点与优势：
MEMS大规模生产中的高速蚀刻
大规模生产中的高展弦比蚀刻
扇贝防治/无扇贝的非波斯工艺
倾斜控制以保证良好均匀性
用于绝缘硅晶圆（SOI）陷波控制的偏置脉冲。
扩展进程库