SIPAR混合ICP系统
SIPAR混合ICP系统
多工艺低损伤低温沉积与蚀刻系统
主要特点与优势:
多进程
无缝低损伤等离子体处理
紧凑且经济
SENTECH SIPAR将ICPECVD、PEALD、ICP-RIE和原子层蚀刻(ALE)技术整合在同一反应堆平台上。通过将多种等离子体技术集成到一个工艺腔室,SIPAR实现了蚀刻工艺和沉积之间的无缝过渡,同时不破坏真空。其成果是卓越的工艺灵活性、污染风险降低以及半导体和材料研究中先进多层结构的高效制造。
SIPAR混合ICP系统
多工艺低损伤低温沉积与蚀刻系统
主要特点与优势:
多进程
无缝低损伤等离子体处理
紧凑且经济
SENTECH SIPAR将ICPECVD、PEALD、ICP-RIE和原子层蚀刻(ALE)技术整合在同一反应堆平台上。通过将多种等离子体技术集成到一个工艺腔室,SIPAR实现了蚀刻工艺和沉积之间的无缝过渡,同时不破坏真空。其成果是卓越的工艺灵活性、污染风险降低以及半导体和材料研究中先进多层结构的高效制造。