SI 500 D ICPECVD系统
SI 500 D ICPECVD系统
感应耦合(IC)PECVD系统,SENTECH SI 500 D用于高密度、低离子能和低压等离子体沉积,以及低损伤、低温沉积用于钝化层。
主要特点与优势:
卓越的高密度等离子体
低应力感应耦合PECVD
SENTECH专有等离子体源技术
沉积层的卓越性能
动态温度控制
SENTECH SI 500 D ICPECVD系统代表了感应耦合等离子体(ICP)处理在研究和工业领域的前沿,用于等离子体增强化学气相沉积的介电薄膜、a-Si、SiC及其他材料。该系统包括ICP等离子体源PTSA、动态温控基板电极和全控制真空系统。SENTECH SI 500 D内置的柔性负载锁可处理从100毫米到直径200毫米的多种基底,以及载体上的基底。单片真空负载锁和机械夹紧保证了稳定条件,并允许工艺的直接切换。