PlasmaPro 100 PECVD 等离子体、原子层、离子束刻蚀沉积系统
设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。
主要特点：
1. 高质量的薄膜，高产量和出色的均匀性
2. 电极的适用温度范围宽
3. 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆
4. 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆
5. 成本低且易于维护
6. 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C
7. 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺