EVG®810 LT低温™等离子体激活系统
EVG®810 LT低温™等离子体激活系统
适用于SOI、MEMS、化合物半导体及先进基板键合的低温等离子体激活系统
EVG810 LT 低温™等离子激活系统为单腔独立装置，手动操作。工艺室支持异位工艺（晶圆逐个激活并在等离子体激活室外键合）。EVG810 LT系统可与EVG的清洁和粘结系统结合，实现手动操作的直接接地过程。
特色：
表面等离子体激活用于低温键（聚变/分子及中间层键）
任何晶圆键合机制中最快的动力学
无需湿法工艺
低温退火（最高400°C）时的最高键强度
适用于SOI、MEMS、化合物半导体和先进基板键合
高度的材料兼容性（包括CMOS）