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盒式装载反应离子刻蚀等离子体刻蚀设备 RIE200C

高吞吐量系统

概要

RIE200C 为量产用卡匣式设备系统，该设备依托出货履历丰厚的 CCP 反应离子刻蚀设备 RIE10NR 的研发经验打造。本设备可对单晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅等各类硅基薄膜开展高精度刻蚀与灰化处理；设备搭载双卡匣双臂机械臂、依靠可编程逻辑控制器实现全自动化运转，搭配高性能工艺参数储存功能，以此实现高产能。

主要特点和优点：

大气高速传输系统

该系统摒弃常规的真空锁气腔，配备大气载片盒腔体以及大气传输机械臂。设备可完成直径 8 英寸以内晶圆的全自动加工处理，支持安装两个载片盒。

全自动运行

设备通过触控面板实现全自动化操作，依托可编程逻辑控制器能够完成工艺管控与数据记录工作。