电感耦合等离子体刻蚀系统-PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE Etch
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于最大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场领域。
1.高刻蚀速率和高选择性
2.低损伤刻蚀和高可重复性加工
3.单晶圆装载锁定或可与多达5个工艺模块集群
4.He背面冷却，以实现最佳温度控制
5.宽温度范围电极，-150°C至400°C
6.与所有最大尺寸为200毫米的晶圆兼容
7.晶圆尺寸之间的快速转换
8.原位腔室清洁和终点控制功能