EVG®880 LayerRelease™ 自动层释放系统
EVG®880 LayerRelease™ 自动层释放系统
EVG®880层释放™系统是全自动系统，利用红外激光器精确释放硅载体基底的层。
EVG®880层释放™系统利用红外（IR）激光与专门配方的无机释放材料结合，实现硅载体基底的纳米级精度释放，采用经过验证的高量制造（HVM）平台。
这一创新工艺消除了对玻璃基材和有机胶粘剂的需求，克服了温度限制，实现了超薄层转移及后续工艺的前端兼容性。
使用无机释放层的硅载体可以避免这些温度和玻璃载体兼容性问题。此外，红外激光起始分离的纳米精度允许处理极薄器件晶圆而不改变记录工艺。随后对此类薄层设备叠加，实现了更高带宽的互连，并为下一代高性能器件设计和分段芯片提供了新机会。
EVG 880层释放系统基于EVG行业领先的EVG®850系列自动临时键合/脱键及硅基绝缘体（SOI）键合系统，采用紧凑设计和经过高压管理（HVM）验证的晶圆处理系统。
产品特点：
全自动化、前端兼容的高价值管理设备。
基质尺寸可达300毫米（SEMI M1）。
基底识别读取器及SECS/GEM集成。
ISO 3环境。
在使用点实现完整的过程控制，包括激光计量。
用于分离裸露基底的集成分离模块。
三维集成 |扩展路线图：
红外激光触发薄膜通过硅晶圆释放的手术刀般精准
通过融合和混合键合实现超薄层叠加的创新革命性三维集成流程
可与任何混合和融合键合工艺组合集成，用于先进器件制造和三维堆叠
现有FEOL材料、工艺和基础设施的使用
转移层均匀性由外延均匀性定义，消除了标准晶圆稀释工艺（如晶圆研磨、抛光和刻蚀）所带来的均匀性限制
通用材料转移结合III-V、二维材料、超晶格等的聚变键合。
异质积分：
使硅载体晶圆成为临时载体
允许使用标准和成熟的工艺技术，消除因载体触发温度限制而对适应低温工艺的需求
利用领先的光刻方法实现硅基板上的超细距重分布层图案化处理
无需昂贵的设备更新或背面沉积即可实现玻璃晶圆处理和抛接